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MP6590A 是一款上管 N 沟道功率 MOSFET (HS-FET) 驱动器，它能够生成高于输入电源电压的栅极驱动电压以驱动 N 沟道栅极。该器件可提供1A 拉/灌电流以快速启用或禁用大功率 MOSFET，并可在高达 80V 的电源电压下工作。
MP6590A的内部安全功能包括过流保护 (OCP)、欠压锁定 (UVLO)保护和过温关断保护。
该器件采用侧面镀锡的 QFN-11 (3mmx4mm) 封装。另可订购具有较低栅极驱动电压和 UVLO 的低压 (LV) 版本。MP6636 采用 SOIC-8 EP 和 TQFN-10 (4mmx4mm) 封装。MPQ6619-AEC1 采用 QFN-19 (4mmx4mm) 封装。MP6603 采用 QFN-25 (4mmx5mm) 封装。MPQ6609-AEC1 采用 QFN-18（3mmx4mm）封装，并符合 AEC-Q100 等级1 认证。MP6638 采用 UTQFN-8（2mmx2.5mm）封装。
产品特性和优势
7.5V 至 80V 工作输入电压 (VIN) 范围
栅极驱动电荷泵可生成高于 VIN 12V 的电压
低功耗睡眠模式 (<1μA)
输出耐受 -70V电压
欠压锁定 (UVLO)保护
可调漏源电压 (VDS) 去饱和检测
过温关断保护
故障指示输出
采用 QFN-11 (3mmx4mm) 封装
